| 主权项 |
1.一种有机光放射装置,包含: 一阳极; 一形成于该阳极上之电洞注入层; 一形成于该电洞注入层上之电洞传输层; 形成于该电洞传输层上之数层光发射层; 在该数层光发射层之两预定层间所形成之至少一 有机材料层,且其系具有一电子阻挡效应; 一形成于该等光发射层上之电子传输层;及 一形成于该电子传输层上之阴极。 2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该数层光 发射层中之至少一层与其两侧相邻之两层相比系 具有较低能阶使形成一激子限制结构。 3.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该绿光发 射层、红光发射层及蓝光发射层系均包括在该数 层光发射层中,而且该绿光发射层系位于该电洞传 输层与该红光发射层间,以形成一激子限制结构。 4.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该绿光发 射层、红光发射层及蓝光发射层系均包括在该数 层光发射层中,而且在该红光发射层与该蓝光发射 层间系形成有至少一具有一电子阻挡效应之有机 材料层。 5.如申请专利范围第4项所述之装置,其中该电洞传 输层、该数层光发射层及该电子传输层中之至少 一层系包括有0.1至5.0wt.%之掺杂剂。 6.如申请专利范围第5项所述之装置,其中该掺杂剂 系包括香豆素6、红荧烯、4-(二氰基亚甲基)-2-甲 基-6-(P-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-哔喃(DCM),4-(二氰 甲烯基)-2-t-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定基-9- 烯炔基)-4H-哔喃(DCJTB),二嵌苯,啶酮,DCM2,2,3,7 ,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-吩铂(PtOEP),铱(Ⅲ)双[(4 ,6-二氟苯基)-啶-N,C2']哔啶甲酸盐(Firpic),其中 PtOEP与Firpic系磷光性掺杂剂。 7.如申请专利范围第3项所述之装置,其中该绿光发 射层、红光发射层及蓝光发射层所具有之厚度范 围系为100至500。 8.如申请专利范围第7项所述之装置,其中该绿光发 射层系包括三(8-羟基)铝作为主体材料,红光 发射层以磷光性基质[N,N'-双(-1-基)苯基]-N,N'-双( 苯基)联苯二胺(NPB)和4,4'-双(唑-9-基)联苯(CBP)之 至少一种为主体材料,蓝光发射层以4,4'-双(2,2-二 苯-乙烯-1-基)-联苯(DPVBi)、4,4"-双(2,2-二苯乙烯-1- 基)-p-叔基苯撑(DPVTP)及螺旋-DPVBi之至少一种为主 体材料。 9.如申请专利范围第3项所述之装置,其中该电洞注 入层系具有厚度为400至1,500,而该电洞传输层 则具有厚度为100至500。 10.如申请专利范围第9项所述之装置,其中该电洞 注入层与该电洞传输层系包括4,4',4"-三[N-3-甲基苯 基-N-苯基-氨基]-三苯胺(m-MTDATA)与N,N'-双(-1-基)-N ,N'-双(苯基)联苯二胺(NPB)之至少一种为主体材料 。 11.如申请专利范围第3项所述之装置,其中该电子 传输层所具有之厚度为100至1,000。 12.如申请专利范围第3项所述之装置,其中该具有 电子阻挡效应之至少一层有机材料层的厚度系为 10至30。 13.如申请专利范围第12项所述之装置,其中该具有 电子阻挡效应之至少一层有机材料系包括[N,N'-双( -1-基)苯基]-N,N'-双(苯基)联苯二胺(NPB)(=-NPD)为 主体材料。 14.如申请专利范围第3项所述之装置,其中该阳极 系具有厚度为1,000至2,000,且其系由氧化铟锡( ITO),SnO2及ZnO中之至少一种所制成。 15.如申请专利范围第3项所述之装置,其中该阴极 系具有厚度为500至5,000,且其系由Li、LiF、Mg、 Al、Al-Li、Ca、Mg-In及Mg-Ag中之至少一种所制成。 16.如申请专利范围第15项所述之装置,其中该阴极 系具有双层结构,包括一具有厚度为5至20之LiF 层及一厚具有厚度为1,000至2,000之Al层。 17.如申请专利范围第1项所述之装置,其中绿光发 射层、红光发射层及蓝光发射层系包括在该数层 光发射层中,而且其进一步包含一用以提高发射效 率并位于该蓝光发射层与该电子传输层间之发射 增强层,该发射增强层系包括一蓝光发射层及一n- 型层和p-型层中之至少一种。 18.一种有机光放射装置,包含: 一阳极; 一形成于该阳极上之电洞注入层; 一形成于该电洞注入层上之电洞传输层; 形成于该电洞传输层上之数层光发射层; 一形成于该等光发射层上之电子传输层;及 一形成于该电子传输层上之阴极,其中该数层光发 射层中之至少一层与其相邻两侧之两层相比系具 有低能阶,使形成一激子阻挡结构。 19.如申请专利范围第18项所述之装置,其系进一步 包含至少一层具有电子阻挡效应之有机材料层,且 其系被插在该数层光发射层之两预定层之间。 图式简单说明: 图一系说明了一仅有蓝光与红光发射层之传统白 色OLED之能阶结构图。 图二系说明了一具有三层发射层之传统白色OLED之 能阶结构图。 图三A系显示依据本发明一实施例白色OLED之一种 层结构剖面图。 图三B系显示依据本发明一实施例白色OLED之能阶 结构图。 图四系显示依据本发明另一实施例白色OLED之能阶 结构图。 图五系显示依据本发明再一实施例白色OLED之能阶 结构图。 图六至图八系显示依据本发明几个实施例白色OLED 之光发射光谱。 图九和图十系显示两比较实施例白色OLED之光发射 光谱、色座标及效率特性。 |
