| 主权项 |
1.一种用于气体放电面板之基板的制造方法,该方 法包含: 在用于气体放电面板之基板的肋部形成区域,形成 一自组装单层; 活化一部分之该自组装单层,以致于可黏附待作为 电镀催化剂的物质, 藉由使该待作为电镀催化剂的物质黏附至该经活 化部分,以形成该电镀催化剂;以及 使用该电镀催化剂,藉由无电电镀法,在该自组装 单层的部分的顶部形成一无电电镀层。 2.如申请专利范围第1项之用于气体放电面板之基 板的制造方法,进一步包含于形成该无电电镀层后 ,使用该无电电镀层作为电极进行电解电镀,以在 该无电电镀层上形成一电解电镀层。 3.如申请专利范围第1项之用于气体放电面板之基 板的制造方法,其中用于形成该自组装单层之化合 物为有机矽烷化合物,其可为分支的,且具有可结 合至该基板的表面的一基团,以及可被活化以致于 可黏附该待作为电镀催化剂的物质的一基团。 4.如申请专利范围第3项之用于气体放电面板之基 板的制造方法,其中该可结合至该基板的表面的基 团为一羟基,或可水解以形成羟基的基团。 5.如申请专利范围第4项之用于气体放电面板之基 板的制造方法,其中该可水解以形成羟基的基团为 一卤素基团。 6.如申请专利范围第3项之用于气体放电面板之基 板的制造方法,其中该可经活化以致能黏附该待作 为电镀催化剂的物质的基团为苯基及烷基中至少 一者。 7.如申请专利范围第1项之用于气体放电面板之基 板的制造方法,其中该自组装单层之该部分系经由 光罩,藉由UV射线照射而活化,以致于可黏附该待作 为电镀催化剂的物质。 8.如申请专利范围第1项之用于气体放电面板之基 板的制造方法,其中该电镀催化剂为钯催化剂。 9.如申请专利范围第1项之用于气体放电面板之基 板的制造方法,其中该无电电镀层的厚度范围为0.2 至0.3m。 10.如申请专利范围第2项之用于气体放电面板之基 板的制造方法,其中该无电电镀层及该电解电镀层 的厚度总和范围为2至4m。 11.如申请专利范围第1项之用于气体放电面板之基 板的制造方法,其中该肋部的高度范围为100至250 m,以及该肋部之间的空隙范围为50至330m。 12.一种气体放电面板,其包含: 一对面向彼此的基板,其中该对基板中之一者,在 面向另一者之一侧上具有肋部; 一自组装单层,其系形成在具有该肋部之该基板的 肋部形成表面上,一部分之该自组装单层系经活化 ,以致于可黏附一待作为电镀催化剂的物质,藉由 使该待作为电镀催化剂的物质黏附至该经活化部 分,以形成该电镀催化剂;以及 一无电电镀层,其系藉由使用该电镀催化剂之无电 电镀法形成在该自组装单层之该部分的顶部。 13.如申请专利范围第12项之气体放电面板,其中电 解电镀系在形成该无电电镀层后,使用该无电电镀 层作为电极进行电解电镀,以致于在该无电电镀层 上形成一电解电镀层。 14.如申请专利范围第12项之气体放电面板,其中用 于形成该自组装单层之化合物为有机矽烷化合物, 其可为分支的,且具有可结合至该基板的表面的一 基团,以及可被活化以致于可黏附该待作为电镀催 化剂的物质的一基团。 15.如申请专利范围第12项之气体放电面板,其中该 可结合至该基板的表面的基团为一羟基,或可水解 以形成羟基的基团。 16.如申请专利范围第12项之气体放电面板,其中该 可水解以形成羟基的基团为一卤素基团。 17.如申请专利范围第12项之气体放电面板,其中该 可经活化以致能黏附该待作为电镀催化剂的物质 的基团为苯基及烷基中至少一者。 18.如申请专利范围第12项之气体放电面板,其中该 自组装单层之该部分系经由光罩,藉由UV射线照射 而活化,以致于可黏附该待作为电镀催化剂的物质 。 19.如申请专利范围第12项之气体放电面板,其中该 电镀催化剂为钯催化剂。 20.一种气体放电面板,其包含: 一对面向彼此的基板,其中该对基板中之一者,在 面向另一者之一侧上具有肋部;以及 具有聚矽氧烷结构之一自组装单层、一电镀催化 剂层,以及一无电电镀层系依序形成于该肋部之间 ,该肋部系位在具有该肋部之该基板之该肋部形成 表面上。 21.如申请专利范围第20项之气体放电面板,其中该 等层中进一步包含一电解电镀层。 22.如申请专利范围第12项之气体放电面板,其中该 无电电镀层的厚度范围为0.2至0.3m。 23.如申请专利范围第20项之气体放电面板,其中该 无电电镀层的厚度范围为0.2至0.3m。 24.如申请专利范围第13项之气体放电面板,其中该 无电电镀层及该电解电镀层的厚度总和范围为2至 4m。 25.如申请专利范围第21项之气体放电面板,其中该 无电电镀层及该电解电镀层的厚度总和范围为2至 4m。 26.如申请专利范围第12项之气体放电面板,其中该 肋部的高度范围为100至250m,以及该肋部之间的 空隙范围为50至330m。 27.如申请专利范围第20项之气体放电面板,其中该 肋部的高度范围为100至250m,以及该肋部之间的 空隙范围为50至330m。 图式简单说明: 第1图为描述习知PDP之一例子的概要分解图; 第2图为描述习知PDP之一例子的概要截面图; 第3图为描述在一背面基板上形成位址电极、介电 层、肋部及萤光层的顺序之流程图; 第4图为描述利用藉由直接切割一玻璃基板以形成 肋部的方法所形成的PDP的截面结构之概要图; 第5图为描述在一背面基板上形成位址电极、肋部 及萤光层的顺序之流程图; 第6图为描述在一背面基板上形成SAM、电镀催化剂 层及无电电镀层之顺序的流程图; 第7A图为描述一基板部分的概要截面图,其中SAM系 均一地形成在具有肋部的基板上; 第7B图为描述一基板部分的概要截面图,其中经活 化区域系形成在具有肋部的基板上; 第7C图为描述一基板部分的概要截面图,其中一电 镀催化剂层系形成在具有肋部的基板上; 第7D图为描述一基板部分的概要截面图,其中一无 电电镀层系形成在具有肋部的基板上; 第8A图为描述一影像的图,其中SAM系形成在使用苯 基三氯矽烷的基板上; 第8B图为描述经由光罩利用UV射线照射之影像的图 ; 第8C图为描述一影像的图,其中羟基系在经UV射线 照射之区域中产生,因此形成一经活化区域;以及 第8D图为描述一状态之影像的图,其中Pd+被吸引并 结合至经UV射线照射之区域中产生的羟基。 |
