半导体存储装置及便携式电子设备

摘要

半导体存储装置具有存储功能体(261，262)，存储功能体具有以下功能：将电荷保持在经由栅绝缘膜(214)而形成在半导体层(211)上的单一的栅电极(217)的两侧；存储功能体分别含有具有电荷存储区(250)的电荷保持膜(242)；电荷存储区(250)横跨沟道区(273)的一部分和配置在沟道区的两侧的扩散区(212，213)的一部分而存在；由于存储功能体独立于栅绝缘膜而形成在栅电极的两侧，因此可以进行2位的动作；进一步，由于各存储功能体由栅电极被分离，因此可有效地抑制改写时的干扰，并且可以使栅绝缘膜薄膜化，并抑制短沟道效果；因而存储元件易于实现微型化。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具有：半导体层(102，211，287，411)；经由栅绝缘膜(103，214，414)形成在该半导体层上的单一的栅电极(104，217，417)；配置在该栅电极下面的沟道区(120，121，273)；配置在该沟道区的两侧的扩散区(107a，107b，212，213，412)；和形成在该栅电极的两侧、并具有保持电荷的功能的存储功能体(105a，105b，131a，131b，261，262，461，462)。