| 发明名称 | 浅沟槽填洞的测试图案 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种用以测试浅沟槽填洞的测试区域设计。具体为一浅沟槽填洞的测试图案，包括：一测试区域，其中该测试区域包括一外边，以定义出一第一内部区；及一测试图案，其中该测试图案是位于第一内部区中，该测试图案是由一浅沟槽形成，以供作测试浅沟槽绝缘区的缝隙填充，该测试图案定义出一边缘以形成一第二内部区。在一较佳实施例中，此测试图案是一方形，更甚者是一两个相反且相对的L形，此两个L形彼此不连续。如此，可以在STI形成之后，即以光学仪器检查，实时反应实际情形STI结构的填洞状况。可克服现有长条形STI测试图案无法反应实际STI结构边角状况的缺点。 | ||
| 申请公布号 | CN2757326Y | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
| 申请号 | CN200420112242.1 | 申请日期 | 2004.11.03 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张文;陆志诚;傅竹韵;章勋明 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一浅沟槽填洞的测试图案，其特征在于，包括：一测试区域，其中该测试区域包括一外边，以定义出一第一内部区；及一测试图案，其中该测试图案是位于第一内部区中，该测试图案是由一浅沟槽形成，以供作测试浅沟槽绝缘区的缝隙填充，该测试图案定义出一边缘以形成一第二内部区。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||