发明名称 | 低电阻导体及其制造方法和使用其的电子部件 | ||
摘要 | 本发明提供一种由多个超导体常传导连接而成,且由超导体及常规导体构成的导体,其中上述导体使用了在该超导体的超导转变温度以下,该导体的表观电阻率比该超导转变温度下铜的电阻率低的超导体。 | ||
申请公布号 | CN1241208C | 申请公布日期 | 2006.02.08 |
申请号 | CN02800107.9 | 申请日期 | 2002.01.16 |
申请人 | 新日本制铁株式会社 | 发明人 | 森田充 |
分类号 | H01B12/04(2006.01);H01B13/00(2006.01);H01B5/08(2006.01) | 主分类号 | H01B12/04(2006.01) |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;陈海红 |
主权项 | 1.一种使用超导体的低电阻导体,该导体为常规导电连接多个REBa2Cu3O7-x系超导体形成的导体,其中RE是Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的一种或其组合,其特征在于,在该超导体的超导转变温度77K下的该导体的表观电阻率比该超导体转变温度77K下的铜的电阻率低。 | ||
地址 | 日本东京 |