发明名称 低电阻导体及其制造方法和使用其的电子部件
摘要 本发明提供一种由多个超导体常传导连接而成,且由超导体及常规导体构成的导体,其中上述导体使用了在该超导体的超导转变温度以下,该导体的表观电阻率比该超导转变温度下铜的电阻率低的超导体。
申请公布号 CN1241208C 申请公布日期 2006.02.08
申请号 CN02800107.9 申请日期 2002.01.16
申请人 新日本制铁株式会社 发明人 森田充
分类号 H01B12/04(2006.01);H01B13/00(2006.01);H01B5/08(2006.01) 主分类号 H01B12/04(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 段承恩;陈海红
主权项 1.一种使用超导体的低电阻导体,该导体为常规导电连接多个REBa2Cu3O7-x系超导体形成的导体,其中RE是Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的一种或其组合,其特征在于,在该超导体的超导转变温度77K下的该导体的表观电阻率比该超导体转变温度77K下的铜的电阻率低。
地址 日本东京