发明名称 |
磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构是在10<SUP>18</SUP>cm<SUP>-3</SUP>高施主掺杂InP衬底上外延生长1-5×10<SUP>17</SUP>cm<SUP>-3</SUP>电子浓度的InP缓冲层;(b)所述的另一种结构是在具较高位错密度的1-5×10<SUP>17</SUP>cm<SUP>-3</SUP>低掺施主浓度的InP衬底上外延生长0.8-3×10<SUP>17</SUP>cm<SUP>-3</SUP>电子浓度的InP缓冲层。该缓冲层可作为降低中红外折射率色散的下波导包裹终止层、有源区电流扩散终止层、腐蚀终止层、改善衬底与外延层界面质量的吸杂层。具有改善、提高InP基异质结构材料与器件性能的多功能、多用途特点。 |
申请公布号 |
CN1731636A |
申请公布日期 |
2006.02.08 |
申请号 |
CN200510028755.3 |
申请日期 |
2005.08.12 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
李爱珍;陈建新;徐刚毅;张永刚 |
分类号 |
H01S5/30(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/343(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/30(2006.01) |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
潘振甦 |
主权项 |
1、一种磷化铟基中红外波段量子级联激光器緩冲层,其特征在于所述的缓冲层为下述二种结构中的任何一种:(a)所述的一种结构是在1018cm-3高施主掺杂InP衬底上外延生长1-5×1017cm-3电子浓度的InP緩冲层;(b)所述的另一种结构是在具较高位错密度的1-5×1017cm-3低掺施主浓度的InP衬底上外延生长0.8-3×1017cm-3电子浓度的InP緩冲层。 |
地址 |
200050上海市长宁区长宁路865号 |