在半导体处理中校正晶圆晶体切割误差之方法

摘要

本发明系针对考量于离子植入系统之晶体切割误差资料，藉以利于更准确的离子植入。本发明之一或多个层面亦考虑可能的遮蔽效应，其可为形成于所掺杂的一个晶圆之表面上的特征而造成。根据本发明之一或多个层面，晶体切割误差资料与选用的特征资料亦为周期性正向馈送于一或多个离子植入级或系统，以确定如何相对于工件而重新定向该离子束以达成期望的植入结果。