发明名称 平面显示器、平面显示器基板及其制造方法
摘要 本发明提供一种平面显示器基板的结构及其制造方法。该平面显示器之基板,包括一玻璃基板、复数个纵向排列之信号线与复数个横向排列之闸极线,用以定义矩阵状之复数像素区、复数个开关元件以及复数个光阻层。像素区还可细分为红像素区、绿像素区和蓝像素区。开关元件可为薄膜电晶体。每一像素区中更包含一遮光区,而薄膜电晶体则形成于遮光区中,并用以控制相对应的像素区。复数个光阻层包含红色、绿色和蓝色光阻层,分别配置于相对应的红、绿和蓝像素区,且红、绿和蓝色光阻层中至少二者形成于遮光区,以做为遮光层之用。
申请公布号 TWI248531 申请公布日期 2006.02.01
申请号 TW090107642 申请日期 2001.03.30
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 翁嘉璠
分类号 G02F1/00 主分类号 G02F1/00
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种平面显示器基板的制造方法,包括下列步骤: 提供一玻璃基板; 于该玻璃基板上形成复数个纵向排列之信号线与 复数个横向排列之闸极线,用以定义矩阵状之复数 像素区,该些像素区包含复数红像素区、复数绿像 素区和复数蓝像素区,且每一像素区内更定义一遮 光区; 于每一遮光区内形成控制该像素区之一开关元件; 以及 于该些红、绿和蓝像素区分别形成相对应的一红 色光阻层、一绿色光阻层和一蓝色光阻层,且该些 红、绿和蓝色光阻层中至少二者形成于每一遮光 区中。 2.如申请专利范围第1项所述之基板的制造方法,其 中该开关元件为一薄膜电晶体,该方法更包括于该 些红、绿和蓝色光阻层中形成复数个开口,用以暴 露出该些薄膜电晶体之复数汲极。 3.如申请专利范围第1项所述之基板的制造方法,更 包括于该些红、绿和蓝色光阻层和该些开关元件 之间形成一保护层。 4.如申请专利范围第3项所述之基板的制造方法,其 中该开关元件为一薄膜电晶体,该方法更包括于该 些红、绿和蓝色光阻层和该保护层中形成复数个 开口,用以暴露出该些薄膜电晶体之复数汲极。 5.如申请专利范围第4项所述之基板的制造方法,更 包括于该些红、绿和蓝色光阻层上方形成一导电 层,且该导电层系经由该些复数开口分别与相对应 之该些汲极电连接。 6.一种平面显示器之基板,包括: 一玻璃基板; 复数个纵向排列之信号线与复数个横向排列之闸 极线,用以定义矩阵状之复数像素区,该些像素区 包含复数红像素区、复数绿像素区和复数蓝像素 区,且每一像素区内更包含一遮光区; 复数个开关元件,分别设于每一遮光区中,用于控 制每一相对应之像素区;以及 一红色光阻层、一绿色光阻层和一蓝色光阻层,分 别配置于相对应的该些红、绿和蓝像素区,且该些 红、绿和蓝色光阻层中至少二者配置于每一遮光 区中。 7.如申请专利范围第6项所述之基板,其中该开关元 件为一薄膜电晶体,且该些红、绿和蓝色光阻层中 具有复数个开口,用以暴露出该些薄膜电晶体之复 数汲极。 8.如申请专利范围第6项所述之基板,更包括一保护 层位于该些红、绿和蓝色光阻层和该些开关元件 之间。 9.如申请专利范围第8项所述之基板,其中该保护层 为一氮化矽层。 10.如申请专利范围第8项所述之基板,其中该开关 元件为一薄膜电晶体,该些红、绿和蓝色光阻层上 方更包含一导电层,且该些红、绿和蓝色光阻层和 该保护层中具有复数个开口,使该导电层经由该些 开口分别与该些薄膜电晶体之汲极电连接。 11.一种平面显示器,包括: 一第一基板; 一第二基板,与该第一基板相对;以及 一液晶,位于该第一基板和该第二基板之间,其中 该第二基板包括: 一玻璃基板; 复数个纵向排列之信号线与复数个横向排列之闸 极线,用以定义矩阵状之复数像素区,该些像素区 包含复数红像素区、一复数绿像素区和复数蓝像 素区,且每一像素区内更包含一遮光区; 复数个开关元件,分别控制每一相对应之像素区而 配置于每一遮光区,且每一开关元件为一薄膜电晶 体;以及 一红色光阻层、一绿色光阻层和一蓝色光阻层,分 别配置于相对应的该些红、绿和蓝像素区,且该些 红、绿和蓝色光阻层中至少二者配置于每一遮光 区中。 12.如申请专利范围第11项所述之平面显示器,其中 该些红、绿和蓝色光阻层中具有复数个开口,用以 暴露出该些薄膜电晶体之复数汲极。 13.如申请专利范围第11项所述之平面显示器,更包 括一保护层位于该些红、绿和蓝色光阻层和该些 开关元件之间。 14.如申请专利范围第13项所述之平面显示器,其中 该保护层为一氮化矽层。 15.如申请专利范围第13项所述之平面显示器,其中 每一开关元件为一薄膜电晶体,且该些红、绿和蓝 色光阻层和该保护层中具有复数个开口,用以暴露 出该些薄膜电晶体之复数汲极。 16.如申请专利范围第15项所述之平面显示器,其中 该些红、绿和蓝色光阻层上方更包含一导电层,且 使该导电层经由该些开口分别与该些薄膜电晶体 之汲极电连接。 图式简单说明: 第1A图至第1F图系为剖面流程图,其绘示依据本发 明一较佳实施例之一种薄膜电晶体阵列基板的示 意图。 第2图系为剖面图,其绘示依据本发明另一较佳实 施例之一种薄膜电晶体阵列基板的示意图。 第3图系为剖面图,其绘示依据本发明又一较佳实 施例之一种薄膜电晶体阵列基板及其制成之液晶 显示器的示意图。 第4图系为剖面图,其绘示本发明之薄膜电晶体阵 列基板的示意图。 第5图系为剖面图,其绘示本发明之薄膜电晶体阵 列基板及其制成之IPS模式的液晶显示器之示意图 。
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