| 主权项 |
1.一种氧化锌奈米线之制造方法,至少包含: 提供一基材; 于前述基材表面铜化(copper metallization),该铜化步 骤系可藉由电镀或溅镀技术完成,其中前述溅镀技 术中,铜系藉由使用30mA x 750V之离子束,压力约为5.3 x 10-2 Pa(4 x 10-4 torr),且于Ar环境下沉积约30分钟; 沉积氧化锌于前述铜化之基材表面,其中前述沈积 氧化锌系使用溅镀沉积法系于压力约为6.7 x 10-1 Pa (5m torr)下,使用200W之RF功率及工作距离约为45mm之 条件下沉积氧化锌约30分钟;及 形成氧化锌奈米线。 2.如申请专利范围第1项所述之氧化锌奈米线之制 造方法,其中前述之基材系可为单晶或非单晶之材 料。 3.如申请专利范围第1项所述之氧化锌奈米线之制 造方法,其中前述基材系可为矽、金属或金属化合 物。 4.如申请专利范围第3项所述之氧化锌奈米线之制 造方法,其中前述基材系为矽。 5.如申请专利范围第1项所述之氧化锌奈米线之制 造方法,其中前述溅镀技术系为离子束溅镀(ion beam sputter,IBS)沉积技术。 6.如申请专利范围第1项所述之氧化锌奈米线之制 造方法,其中前述沉积氧化锌之方法系为物理方法 。 7.如申请专利范围第6项所述之氧化锌奈米线之制 造方法,其中前述物理方法系为溅镀沉积法。 8.如申请专利范围第7项所述之氧化锌奈米线之制 造方法,其中前述溅镀沉积法系为射频磁控溅镀沉 积法。 9.如申请专利范围第1项所述之氧化锌奈米线之制 造方法,其中前述氧化锌奈米线系形成于氧化锌薄 膜上或直接形成于铜化之基材上。 10.如申请专利范围第1项所述之氧化锌奈米线之制 造方法,其中前述之前述之氧化锌薄膜系为复晶结 构。 11.如申请专利范围第1项所述之氧化锌奈米线之制 造方法,其中前述之氧化锌奈米线系为单晶结构。 12.如申请专利范围第1项所述之氧化锌奈米线之制 造方法,其中前述之基材系可具有钛金属层作为铜 化之起始材料。 图式简单说明: 图一系本发明制造方法之流程图。 图二系根据本发明之制造方法形成之氧化锌薄膜 之电子显微镜照片。 图三系根据本发明之制造方法形成之氧化锌奈米 线之电子显微镜照片。 图四系显示氧化锌奈米线为单晶结构之SAD图。 |
