| 发明名称 | 阳极化处理设备 | ||
| 摘要 | 一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形状。该设备可用于以小力分离薄膜半导体层，所述薄膜半导体层几乎无裂、断或损，可高效率地制造高性能的产品。 | ||
| 申请公布号 | CN1239754C | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
| 申请号 | CN200410032371.4 | 申请日期 | 2000.06.08 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 岩崎由希子;西田彰志;坂口清文;浮世典孝 |
| 分类号 | C25D11/02(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | C25D11/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种阳极化处理设备，在用于阳极化处理的基片的周边部分，包括与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极相同的形状。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||