发明名称 | 电容器装置制造方法及电容器装置 | ||
摘要 | 本发明特别是说明用以制造一电容器装置(110)的方法,其包含至少三电极(114a、118a与122b)。该电容器装置(110)是使用少于该电极(114a、118a与122b)数目的微影方法次数所图形化。本发明也说明一种电容器装置,其在金属化层之间有多于两个或多于三个的中间层间延伸。该电路装置每单位面积具有一高的电容,并可以利用一简单方式制造。本发明也说明一种方法,其中首先使用一干式蚀刻图形化一电极层。该电极层的残余是使用一湿式化学处理所移除。此方法可以制造具有良好电性质的电容器。 | ||
申请公布号 | CN1729572A | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
申请号 | CN200380106835.5 | 申请日期 | 2003.11.27 |
申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | J·巴奇曼恩;B·福斯特;K·戈尔勒;J·克里滋 |
分类号 | H01L27/08(2006.01) | 主分类号 | H01L27/08(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;王勇 |
主权项 | 1.一种用于制造集成电容器装置(110)的方法,其中,该方法实行以下步骤:制造一层状堆积(124b),其中包含以下顺序:一基础电极层(14),一基础介电层(16),至少一中央电极层(18),一覆盖介电层(20),以及一覆盖电极层(22),使用一种第一微影方法,图形化该覆盖电极层(22)与该中央电极层(18),以及使用一种第二微影方法,图形化该覆盖电极层(22a)与该基础电极层(14)。 | ||
地址 | 德国慕尼黑 |