一种实现模拟集成电路相对精度模型的方法

摘要

本发明公开了一种实现模拟集成电路相对精度模型的方法，它包括如下步骤：(1)建立反映工艺状态的普通SPICE器件模型；(2)测试反映该工艺相对精度的实验数据，并总结ΔVt的标准偏差、ΔIon的标准偏差与器件尺寸的关系；(3)在普通SPICE器件模型的基础上，对其中的VTHO、TOX、UO、VSAT参数进行修正，建立对应的相对精度模型；(4)最后将相对精度模型与普通SPICE模型综合到一个模型文件中。本发明可简化模型使用的便利性，提高集成电路设计者的工作效率与准确性。适用于集成电路的设计，进行电路模拟。

主权项

1.一种实现模拟集成电路相对精度模型的方法，其特征在于，它包括如下步骤：(1)建立反映工艺状态的普通SPICE器件模型，包括各Corner模型；(2)测试反映该工艺相对精度的实验数据，并总结ΔVt的标准偏差、ΔIon的标准偏差与器件尺寸的关系；(3)在普通SPICE器件模型的基础上，对其中的VTHO、TOX、UO、VSAT参数按以下公式进行修正，建立对应的相对精度模型：VTHO＝VTHO’+DVTHOUO＝UO’*(1+DUO)VSAT＝VSAT’*(1+DVSAT)TOX＝TOX’*(1+DTOX)其中VTHO’、UO’、VSAT’、TOX’是普通SPICE模型中所对应参数的值，DVTHO、DUO、DVSAT、DTOX是为模拟相对精度现象在对应参数基础上引入的偏差量，其分别按下式计算：DVTHO＝A1/sqrt(Width*Length)+B1DUO＝A2*(Width*Length)+B2DVSAT＝A3/sqrt(Width*Length)+B3DTOX＝A4/(Width*Length)+B4/sqrt(Width)+C4/sqrt(Length)其中Width，Length是仿真所用器件沟道宽与长，sqrt为平方根函数，而A1、B1、A2、B2、A3、B3、A4、B4、C4要根据相对精度实验数据进行提取；(4)最后将相对精度模型与普通SPICE模型综合到一个模型文件中。