| 发明名称 | 双金属镶嵌互连的制造方法 | ||
| 摘要 | 在一种制造双金属镶嵌互连的方法中，确保了可靠的沟槽轮廓。该方法包括：在衬底上形成下部互连部件，在下部互连部件上形成电介质层，在电介质层上形成硬掩模，通过使用硬掩模作为蚀刻掩模在电介质层中形成通孔，通过对硬掩模进行构图形成界定沟槽的沟槽硬掩模，形成和通孔相连接的沟槽，在其中使用沟槽硬掩模作为蚀刻掩模部分蚀刻电介质层形成上部互连线，并使用湿法蚀刻清除沟槽硬掩模，以及通过使用互连材料填充沟槽和通孔来形成上部互连线。 | ||
| 申请公布号 | CN1728358A | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
| 申请号 | CN200510088138.2 | 申请日期 | 2005.07.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 吴赫祥;郑周赫;金一球 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制造双金属镶嵌互连的方法，包括：(a)在衬底上形成下部互连部件；(b)在所述下部互连部件上形成电介质层；(c)在所述电介质层上形成硬掩模；(d)利用所述硬掩模作为蚀刻掩模在所述电介质层中形成通孔；(e)通过构图所述硬掩模，形成界定沟槽的沟槽硬掩模；(f)形成和所述通孔相连接的沟槽，在其中使用所述沟槽硬掩模作为蚀刻掩模部分蚀刻所述电介质层形成上部互连线；(g)使用湿法蚀刻清除所述沟槽硬掩模；以及(h)通过使用互连材料填充所述沟槽和通孔，形成上部互连线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||