发明名称 |
具有减小的翻转磁场的磁致电阻随机存取存储器 |
摘要 |
一种磁致电阻隧道结存储单元(10)包括钉扎铁磁性区域(17)、电绝缘材料以及自由铁磁性区域(15),钉扎铁磁性区域具有一个在没有施加磁场时固定在一优选方向上的磁矩向量(47),其中该钉扎铁磁性区域具有磁边缘场(96),电绝缘材料设置在该钉扎铁磁性区域上以形成磁致电阻隧道结(16),以及自由铁磁性区域具有在一位置上取向为平行或反向平行于钉扎铁磁性区域的磁矩向量的磁矩向量(53),其中选择该磁边缘场以获得预想的翻转磁场。 |
申请公布号 |
CN1729537A |
申请公布日期 |
2006.02.01 |
申请号 |
CN03814154.X |
申请日期 |
2003.06.04 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
布莱德雷·N·恩格尔;贾森·阿兰·詹尼斯基;尼古拉斯·D·里佐 |
分类号 |
G11C11/15(2006.01);G11C11/16(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/15(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1.一种带有翻转磁场的磁致电阻隧道结存储单元,该单元包括:第一磁区域,该第一磁区域具有在没有施加磁场时固定在一个优选方向上的合成磁矩向量;电绝缘材料,该电绝缘材料位于第一磁区域上以形成磁致电阻隧道结;第二磁区域,该第二磁区域位于该电绝缘材料上,并且该第二磁区域具有各向异性的易磁化轴和定位于平行或反向平行于第一磁区域的合成磁矩向量的位置上的合成磁矩向量;其中该磁致电阻隧道结存储单元在触发写入模式下操作;和其中通过施加一磁场可以产生沿着各向异性易磁化轴并且在第二磁区域内的偏磁场,从而改变该翻转磁场。 |
地址 |
美国得克萨斯 |