| 发明名称 | 制造半导体器件的方法和用该方法获得的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有场效应晶体管的半导体器件(10)的制造方法，在该方法中，提供半导体材料的半导体主体(1)，在其表面具有源区(2)和漏区(3)以及源区(2)和漏区(3)之间的栅区(4)，其中栅区栅电介质(5)与半导体主体(1)表面分离的另一半导体材料的半导体区(4A)，并且具有用于形成源和漏区(2，3)的邻近栅区(4)的隔离物(6)，在该方法中，给源区(2)和漏区(3)提供了用于形成金属和半导体材料化合物(8)的金属层(7)，并且给栅区(4)提供了用于形成金属和另一半导体材料化合物(8)的金属层(7)。不同的金属层被用于硅化源和漏区和栅区(2，3，4)的已知方法有若干缺点。依据本发明方法的特征在于，在形成隔离物(6)之前，关于半导体区(4A)可选择性蚀刻的材料的牺牲区(4B)在半导体区(4A)的顶部上被沉积，并且在形成隔离物(6)之后，通过蚀刻去除牺牲层(4B)，而在牺牲层(4B)去除之后，沉积单一金属层(7)与源、漏以及栅区(2，3，4)接触。该方法一方面非常简单，这是由于它仅需单个金属层和少量的直接向前的步骤并且和现有的(硅)技术相兼容，而在另一方面它产生在完全硅化的栅(4)中没有耗尽层效应的(MOS)FET。 | ||
| 申请公布号 | CN1726582A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200380106412.3 | 申请日期 | 2003.12.15 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | V·C·维内兹亚;C·J·J·达奇斯;J·C·霍克;M·J·H·范达尔 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/285(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;梁永 |
| 主权项 | 1.一种具有场效应晶体管的半导体器件(10)的制造方法，在该方法中，提供半导体材料的半导体主体(1)，在其表面具有源区(2)和漏区(3)以及源区(2)和漏区(3)之间的栅区(4)，其中栅区包括通过栅电介质(5)与半导体主体(1)的表面分离的另一半导体材料的半导体区(4A)，并且具有用于形成源和漏区(2，3)的邻近栅区(4)的隔离物(6)，在该方法中，源区(2)和漏区(3)具有用于形成金属和半导体材料化合物(8)的金属层(7)，并且栅区(4)具有用于形成金属和另一半导体材料化合物(8)的金属层(7)，其特征在于，在形成隔离物(6)之前，关于半导体区(4A)可选择性蚀刻的材料的牺牲区(4B)沉积在半导体区(4A)的顶部上，以及在形成隔离物(6)之后，通过蚀刻去除牺牲层(4B)，并且在去除牺牲层(4B)之后，沉积单一金属层(7)与源、漏以及栅区(2，3，4)接触。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||