发明名称 | 曝光装置、曝光方法及半导体装置的制造方法 | ||
摘要 | 一种曝光装置,在曝光部(20)中,在晶片(70)上形成的抗蚀剂膜上配置了浸液用的液体(71)的状态下,将经掩模(72)的曝光光照射到抗蚀剂膜上,浸液用液体供给部(30)向图案曝光部(20)供给液体。该液体供给部(30)从多个液体单元(31a、31b)等中,选择折射率不同的多个液体(71)中的1个供给至晶片(71)上。通过使浸液平板印刷术中分辨率的提高和焦点深度的维持同时实现,可良好地构成图案形状。 | ||
申请公布号 | CN1725111A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
申请号 | CN200510083389.1 | 申请日期 | 2005.07.14 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 远藤政孝;笹子胜 |
分类号 | G03F7/20(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
主权项 | 1、一种曝光装置,其特征在于:具备:在基板上形成的抗蚀剂膜上配置了液体的状态下,将经掩模的曝光光照射到所述抗蚀剂膜上的曝光部;和向所述曝光部供给所述液体的液体供给部,所述液体供给部具有:分别容纳折射率不同的多个液体的多个液体单元;和选择该多个液体单元中的1个,向所述曝光部供给选择到的液体单元的液体的选择单元。 | ||
地址 | 日本大阪府 |