| 主权项 |
1.一种具有下面分子式的具五氟化硫基及三取代 矽基乙炔化合物, 其中,取代基R,R'及R"是选自烷基、含取代基的烷基 、芳香基、含取代基的芳香基,或其组合所组成的 族群,而且这些取代基中至少一个是具空间性阻碍 的。 2.如申请专利范围第1项的化合物,其中取代基R,R' 及R"包含一烷基。 3.如申请专利范围第2项的化合物,其中R,R'或R"中的 至少一个包含第三-丁基。 4.如申请专利范围第3项的化合物,其中的R及R'包含 CH3且R"包含第三-丁基。 5.如申请专利范围第2项的化合物,其中的R,R'或R"至 少一个包含异丙基。 6.如申请专利范围第1项的化合物,其中化合物的分 子量在225到800之间。 7.如申请专利范围第6项的化合物,此化合物的分子 量在225到400之间。 8.一种液晶前驱物,其包含申请专利范围第1项的化 合物的。 9.一种具五氟化硫基及三取代矽基乙炔化合物,该 化合物包含: 一个五氟化硫基团;以及 一个含三取代基之矽基,该取代基是选自烷基、含 取代基的烷基、芳香基、含取代基的芳香基,或其 组合所组成的族群,而且这些取代基中至少一个是 具空间性阻碍的,其中含三取代基之矽基是以一个 C-C三键与五氟化硫基团键结。 10.如申请专利范围第9项的化合物,其中该等取代 基中的至少一个包含一烷基基团。 11.如申请专利范围第10项的化合物,其中该等取代 基中的至少一个包含第三-丁基。 12.如申请专利范围第10项的化合物,其中该等取代 基中的至少一个包含CH3。 13.如申请专利范围第10项的化合物,其中该等取代 基中的至少一个包含异丙基。 14.一种液晶前驱物,其包含申请专利范围第9项的 化合物的。 15.一种制造具有下面化学式之具五氟化硫基及三 取代矽基乙炔化合物的方法, 其中,取代基R,R'及R"是选自烷基、含取代基的烷基 、芳香基、含取代基的芳香基,或其组合所组成的 族群,而且这些取代基中至少一个是具空间性阻碍 的,此方法包括下列步骤: 在足以形成一种中间物产物的条件下将一种含R,R' 及R"取代基的乙炔化合物与一种含SF5的卤化物结 合;并且 在足以形成该乙炔化合物之条件下将此中间物产 物曝露在一硷中。 16.如申请专利范围第15项的方法,其中该结合及曝 露的步骤是在相同的反应容器中完成。 17.如申请专利范围第15项的方法,其中该结合的步 骤是在溶剂中进行。 18.如申请专利范围第15项的方法,其中的乙炔化合 物的产率至少是理论产率的80%。 19.如申请专利范围第17项的方法,其中乙炔化合物 的产率至少是理论产率的90%。 |
