| 发明名称 |
Verfahren zur Bildung von erhöhten Source- und Drainzonen in integrierten Schaltungen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69534688(D1) |
申请公布日期 |
2006.01.19 |
| 申请号 |
DE19956034688 |
申请日期 |
1995.10.27 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS, INC. |
发明人 |
CHAN, TSIU CHIU;SMITH, GREGORY C. |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/60;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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