适用字符线金属导线技术的平面单元只读存储器

摘要

本发明是一种适用字符线金属导线技术的平面单元只读存储器，其是将两条位元线或是两条虚接地线共用一个接触窗，使得该接触窗可以稍微地移动，进而在不增加面积的情况下，轻易地置入局部金属字符线以提高读取速度，此外，在该存储器中，相邻的区块是共用相同的位元线或虚接地线，故可减少该存储器中接触窗的密度，进而缩减该存储器的高度。

主权项

1.一种适用字符线金属导线技术的平面单元只读存储器，其包含多个存储区块，其特征在于每一该存储区块包括：一存储器阵列；多条第一位元线，每一该第一位元线透过一第一开关元件连接至该存储器阵列；多条第二位元线，每一该第二位元线透过一第二开关元件连接至该存储器阵列；多个第一接触窗，每一该第一接触窗使该多条第一位元线的其中之一及该多条第二位元线的其中之一连接至一位元信号线；多条虚接地线，每一条该虚接地线透过一第三开关元件及一第四开关元件连接至该存储器阵列；多个第二接触窗，每一该第二接触窗使任二条相邻的该虚接地线连接至一虚接地信号线；一第一选择线，供控制该第一开关元件及第三开关元件的导通；一第二选择线，供控制该第二开关元件及第四开关元件的导通。