发明名称 | 等离子体活化蒸发法沉积二氧化硅 | ||
摘要 | 使用等离子体活化反应性沉积法在不同基片上沉积氧化硅抗刮伤的涂层。本方法包括将硅或硅的氧化物蒸发到氩气和一氧化二氮等离子体中,等离子体朝着待涂复的表面。 | ||
申请公布号 | CN1237200C | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
申请号 | CN98115119.1 | 申请日期 | 1998.06.26 |
申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | C·D·亚科范格洛 |
分类号 | C23C14/10(2006.01) | 主分类号 | C23C14/10(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 魏金玺;罗才希 |
主权项 | 1.一种用抗磨损层涂覆聚碳酸酯基片的方法,该方法包括:将聚碳酸酯基片放入真空室中;在真空室内使硅、钛、铝或二氧化硅进行电子束蒸发,将硅、钛、铝或二氧化硅通入已经引入一氧化二氮的氩气等离子体中;使聚碳酸酯基片暴露于等离子体内,从而使抗磨损层沉积在基片的暴露表面上。 | ||
地址 | 美国纽约州 |