半导体系统

摘要

本发明之课题在于：在具有临限电压互异的记忆体系统之半导体系统中，不需要复杂制程，而能够不受到临限电压互异的影响抑制漏电流。半导体系统1B具备系统LSI2，该系统LSI2混载了SRAM、ROM等复数的记忆体系统3a～3f与电路系统4a～4d。对各记忆体系统3a～3f共同设置类比电源电路6A，其向各记忆体系统3a～3f的字线驱动器供给源极电位。类比电源电路6A接收感应器21～23的输出，因应半导体系统1B的动作状态对供给的源极电位加以控制，以抑制漏电流。