发明名称 分离式闸极快闪记忆体及其制造方法
摘要 本发明提供一种分离式闸极快闪记忆体及其制造方法,其中分离式闸极快闪记忆体具有一控制闸极、一浮置闸极及一中间介电层,浮置闸极具有一锐角状结构覆盖于控制闸极之部分顶部表面,而中间介电层则设置于控制闸极与浮置闸极之间。
申请公布号 TW200603389 申请公布日期 2006.01.16
申请号 TW093119990 申请日期 2004.07.02
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 王廷熏
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼