发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für eine elektronische Schaltung sowie ein Substrat für ein Gehäuse
摘要 Die Erfindung betrifft ein Substrat (1) für ein Gehäuse für eine elektronische Schaltung, DOLLAR A mit mindestens einem Leitungsbereich (10), der innerhalb des Substrats (19) angeordnet ist; DOLLAR A mit einem Aktivierungsbereich in dem Substrat, der mit dem Leitungsbereich in Kontakt steht, wobei der Aktivierungsbereich (9) gestaltet ist, um bei einer Aktivierung seinen elektrischen Widerstand zu ändern.
申请公布号 DE102004029200(A1) 申请公布日期 2006.01.12
申请号 DE20041029200 申请日期 2004.06.16
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DICKMANN, RORY;SOMMER, MICHAEL
分类号 H01L21/60;H01L23/50;H01L23/58;H05K1/16;H05K3/46 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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