| 主权项 |
1.一种液晶显示单元,包括一TFT基板,该TFT基板包含 : 透明绝缘基板; 第1配线,配置在该透明绝缘基板上; 第2配线,配置于该第1配线上方,且该第2配线与该 第1配线交叉; 薄膜电晶体,形成于由该第1配线及该第2配线所包 围的每个区域,其中一个或一个以上之沿着该第2 配线延伸的凹部,系被形成在位于与该第2配线交 叉点之附近区域的第1配线的至少一侧。 2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示单元,其中 ,该凹部的深度大于或等于该第2配线的宽度。 3.如申请专利范围第1项所述之液晶显示单元,其中 ,该凹部之二或二以上的侧边,位在该第2配线之正 下方的区域内。 4.如申请专利范围第1项所述之液晶显示单元,其中 ,形成有两个该凹部,且沿着第2配线延伸之两个该 凹部的邻接侧边,系位在该第2配线正下方的区域 内。 5.如申请专利范围第1项所述之液晶显示单元,其中 ,该第1配线系由堆叠多数种的金属所构成的,且使 该第1配线的侧面成推拔形。 6.如申请专利范围第5项所述之液晶显示单元,其中 ,该第1配线的该金属堆叠系由两层所构成的,该两 层中的下侧层系由选自Al与Al合金的第1金属所构 成的,该两层中的上侧层系由选自Mo和Mo合金的第2 金属所构成的。 7.如申请专利范围第5项所述之液晶显示单元,其中 ,该第1配线的该侧面的推拔角,系落在30度至80度之 间。 8.如申请专利范围第1项所述之液晶显示单元,其中 ,该第1配线系为闸极配线,该第2配线系为汲极配线 。 9.如申请专利范围第8项所述之液晶显示单元,其中 ,将闸极绝缘膜及半导体层形成在该闸极配线与该 汲极配线之间,且该闸极绝缘膜系设置在该半导体 层的下侧。 10.如申请专利范围第9项所述之液晶显示单元,其 中,该半导体层具有下侧a-Si子层和上侧n+a-Si子层 。 图式简单说明: 图1为习知液晶显示单元之TFT基板的俯视图,显示 其闸极配线及汲极配线交叉点附近的结构。 图2A为沿图1之Ⅰ-Ⅰ线的剖面图。 图2B为沿图1之Ⅱ-Ⅱ线的剖面图。 图3为习知液晶显示单元之TFT基板的俯视图,显示 其闸极配线及汲极配线交叉点附近的结构。 图4为依本发明第1实施例液晶显示单元的剖面图 。 图5为依本发明第1实施例液晶显示单元之TFT基板 的俯视图,显示其闸极配线及汲极配线交叉点附近 的结构。 图6A为沿图5之Ⅰ-Ⅰ线的剖面图。 图6B为沿图5之Ⅱ-Ⅱ线的剖面图。 图7A为概略地显示依本发明第1实施例之液晶显示 单元的TFT基板之制造方法的一步骤的剖面图。 图7B为概略地显示依本发明第1实施例之液晶显示 单元的TFT基板之制造方法的一步骤的剖面图。 图7C为概略地显示依本发明第1实施例之液晶显示 单元的TFT基板之制造方法的一步骤的剖面图。 图7D为概略地显示依本发明第1实施例之液晶显示 单元的TFT基板之制造方法的一步骤的剖面图。 图7E为概略地显示依本发明第1实施例之液晶显示 单元的TFT基板之制造方法的一步骤的剖面图。 图8为显示依本发明第1实施例的闸极配线之结构 的变化的俯视图。 图9为显示依本发明第1实施例的闸极配线之结构 的变化的俯视图。 图10为显示依本发明第1实施例的闸极配线之结构 的变化的俯视图。 图11为显示依本发明第1实施例的闸极配线之结构 的变化的俯视图。 图12为显示依本发明第1实施例的闸极配线之结构 的变化的俯视图。 图13为依本发明第2实施例的液晶显示单元之TFT基 板的俯视图,显示其闸极配线及汲极配线交叉点附 近的结构。 图14A为沿图13之Ⅲ-Ⅲ线的剖面图。 图14B为沿图13之Ⅳ-Ⅳ线的剖面图。 图15A为概略地显示依本发明第2实施例之液晶显示 单元的TFT基板之制造方法的一步骤的剖面图。 图15B为概略地显示依本发明第2实施例之液晶显示 单元的TFT基板之制造方法的一步骤的剖面图。 图15C为概略地显示依本发明第2实施例之液晶显示 单元的TFT基板之制造方法的一步骤的剖面图。 图15D为概略地显示依本发明第2实施例之液晶显示 单元的TFT基板之制造方法的一步骤的剖面图。 图15E为概略地显示依本发明第2实施例之液晶显示 单元的TFT基板之制造方法的一步骤的剖面图。 图16为显示依本发明第2实施例之液晶显示单元的 TFT基板之优点的图表。 |
