| 发明名称 | N型差分式电场微传感器 | ||
| 摘要 | N型差分式电场微传感器，由n沟道电场传感器、n沟道耗尽型金属氧化物半导体管、P型金属氧化物半导体管电流镜及N型金属氧化物半导体管组成，P型金属氧化物半导体管电流镜由2个P型金属氧化物半导体管组成，2个P型金属氧化物半导体管的源极相连接并与电源相连接，其栅极互连并与一个P型金属氧化物半导体管的漏极连接且与n沟道电场传感器的漏极连接，另一P型金属氧化物半导体管的漏极与n沟道耗尽型MOS管的漏极连接且该节点作为输出端，n沟道电场传感器的源极与n沟道耗尽型MOS管的源极连接并与N型金属氧化物半导体管的漏极连接，N型金属氧化物半导体管的源极接地，N型金属氧化物半导体管的栅极接偏置电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1719266A | 申请公布日期 | 2006.01.11 |
| 申请号 | CN200510040660.3 | 申请日期 | 2005.06.22 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 黄庆安;王立峰;秦明;茅盘松 |
| 分类号 | G01R29/12(2006.01) | 主分类号 | G01R29/12(2006.01) |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陆志斌 |
| 主权项 | 1、一种用于电场测试的N型差分式电场微传感器，其特征在于由n沟道电场传感器(ENMOS1)、n沟道耗尽型金属氧化物半导体管(ENMOS’2)、P型金属氧化物半导体管电流镜及N型金属氧化物半导体管(NMOS5)组成，P型金属氧化物半导体管电流镜由2个P型金属氧化物半导体管(PMOS3、PMOS4)组成，2个P型金属氧化物半导体管(PMOS3、PMOS4)的源极相连接并与电源(Vdd)相连接，其栅极互连并与其中一个P型金属氧化物半导体管(PMOS3)的漏极连接且该P型金属氧化物半导体管(PMOS3)的漏极与n沟道电场传感器(ENMOS1)的漏极连接，上述另一个P型金属氧化物半导体管(PMOS4)的漏极与n沟道耗尽型MOS管(ENMOS’2)的漏极连接且该节点作为输出端(Vout)，n沟道电场传感器(ENMOS1)的源极与n沟道耗尽型MOS管(ENMOS’2)的源极连接并与N型金属氧化物半导体管(NMOS5)的漏极连接，N型金属氧化物半导体管(NMOS5)的源极接地(Vss)，N型金属氧化物半导体管(NMOS5)的栅极接偏置电压(Vb)。 | ||
| 地址 | 210096江苏省南京市四牌楼2号 | ||