| 发明名称 | 薄膜晶体管（TFT）和包括该薄膜晶体管的平板显示器以及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 薄膜晶体管(TFT)能够减小源极/漏极的互连电阻，防止有源层的污染，减少像素电极和源极/漏极之间的接触电阻，平稳地向有源层提供氢并具有高迁移率、开电流特性和阈值电压特性。该TFT包括：具有沟道区和源极/漏极区的有源层；用于向沟道区提供信号的栅极；分别与源极/漏极区相连的源极/漏极，该源极/漏极包括钛、钛合金、钽、钽合金中的至少一种；夹在源极/漏极和有源层之间的绝缘层，其包括氮化硅。 | ||
| 申请公布号 | CN1716637A | 申请公布日期 | 2006.01.04 |
| 申请号 | CN200510091311.4 | 申请日期 | 2005.06.30 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 金泰成 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;王景朝 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管(TFT)，包括：具有沟道区和源极/漏极区的有源层；用来向沟道区提供信号的栅极；分别连接到源极/漏极区的源极/漏极，该源极/漏极包括钛、钛合金、钽和钽合金中的至少一种；和夹在源极/漏极和有源层之间的绝缘层，其包括氮化硅。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||