| 主权项 |
1.一种散热型封装结构制法,系包括: 将半导体晶片之主动面接置并电性连接于晶片承 载件上,另在一介面层上接着具镂空结构之散热片 ,且该镂空结构系对应于晶片位置,俾将该附有散 热片之介面层接着于该半导体晶片之非主动面上, 并使该半导体晶片得以收纳于该镂空结构; 进行封装模压制程,以利用封装胶体完整包覆住位 于该晶片承载件上之半导体晶片及该附有介面层 之散热片; 进行切割制程,以去除完成封装模压制程后封装元 件四周非电性作用部分,而显露出该散热片侧边; 以及 移除该介面层及位在该介面层上之封装胶体,藉以 外露出该散热片,并使该半导体晶片非主动面得以 完全显露于该散热片之镂空结构。 2.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,该介面层与封装胶体之黏结性大于该介面层与 散热片间及该介面层与晶片非主动面之黏结性,且 该介面层与散热片间之黏结性小于该散热片与该 封装胶体间之黏结性。 3.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,该介面层系为以聚亚醯胺(Polyimide)为底材之胶 片(P. I. tape)金属为底材之金属贴片,高耐热性之有 机材为底材之贴片,以及高耐热性纸材为底材之纸 贴片之其中一者。 4.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,该介面层与该散热片间之黏结性须足以在切割 作业时,使该散热片不致与该介面层分离。 5.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,该晶片承载件系为基板及导线架型式之其中一 者,且其型态系采用矩阵式排列、条状排列及单颗 型态之其中一者。 6.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,该晶片系以焊线及覆晶之其中一方式电性连接 至该晶片承载件。 7.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,该散热片与封装胶体相接触处得以选择性形成 有凹凸结构及黑化处理层。 8.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,经切割后该散热片的侧面系外露出所形成之封 装胶体,并与该封装胶体之侧面切齐。 9.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,复 包括于该散热片上藉由导热黏着层以接置一散热 结构,并使该散热结构得以延伸接触至该半导体晶 片显露于该散热片镂空结构之非主动面。 10.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法, 其中,该晶片承载件未接置有半导体晶片之表面上 设置有复数导电元件,藉以供该晶片藉之与外界装 置形成电性连接关系。 11.一种散热型封装结构制法,系包括: 准备一矩阵式晶片承载件模组片,该晶片承载件模 组片乃由多数呈阵列方式排列之晶片承载件所构 成者; 接置至少一晶片于各该晶片承载件之预设位置处, 并使该晶片电性连接至该晶片承载件; 另在一介面层上接着具镂空结构之散热片,俾将该 附有散热片之介面层接着于该半导体晶片之非主 动面上,并使该半导体晶片得以收纳于该镂空结构 ; 形成封装胶体,藉以包覆该附有散热片之介面层及 该晶片; 进行切单作业,藉以形成个别半导体封装件之半成 品;以及 去除形成于该介面层上之封装胶体及该介面层。 12.如申请专利范围第11项之散热型封装结构制法, 其中,该介面层与封装胶体之黏结性大于该介面层 与散热片间及该介面层与晶片非主动面之黏结性, 且该介面层与散热片间之黏结性小于该散热片与 该封装胶体间之黏结性。 13.如申请专利范围第11项之散热型封装结构制法, 其中,该散热片之面积系足以完全遮覆住该晶片承 载件模组片之晶片承载件。 14.一种散热型封装结构,系包括: 晶片承载件; 具主动面及相对非主动面之半导体晶片,系以其主 动面接置并电性连接至该晶片承载件上; 封装胶体,系形成于该晶片承载件上,用以包覆该 半导体晶片,惟使该晶片之非主动面显露于封装胶 体;以及 具镂空结构之散热片,系接置于封装胶体上,并提 供该晶片收纳于该镂空结构中,俾使该晶片非主动 面同时完全显露于该散热片之镂空结构。 15.如申请专利范围第14项之散热型封装结构,其中, 该晶片承载件系为基板及导线架型式之其中一者, 且其型态系采用矩阵式排列、条状排列及单颗型 态之其中一者。 16.如申请专利范围第14项之散热型封装结构,其中, 该晶片系以焊线及覆晶之其中一方式电性连接至 该晶片承载件。 17.如申请专利范围第14项之散热型封装结构,其中, 该散热片的侧面系外露出所形成之封装胶体,并与 该封装胶体之侧面切齐。 18.如申请专利范围第14项之散热型封装结构,其中, 该散热片与封装胶体相接触处得以选择性形成有 凹凸结构及黑化处理层。 19.如申请专利范围第14项之散热型封装结构,复包 括形成于该散热片上之散热结构,且该散热结构得 以延伸接触至该半导体晶片显露于该散热片镂空 结构之非主动面。 图式简单说明: 第1图系为美国专利第5,726,079号案所揭露之半导体 封装件剖面示意图; 第2A至2C图系为美国专利第6,458,626号案所揭露之半 导体封装件剖面示意图; 第3图系为美国专利第6,444,498号案所揭露之半导体 封装件剖面示意图; 第4A至4C图系为美国专利第6,699,731号案所揭露之半 导体封装件剖面示意图; 第5A至5G图系为本发明之散热型封装结构制法第一 实施例之剖面示意图; 第6A图系为本发明第一实施例之散热型封装结构 中强化散热片与封装胶体接合之剖面示意图; 第6B图系为本发明第一实施例之散热型封装结构 中于散热片上增设散热结构之剖面示意图; 第7A至7G图系为本发明之散热型封装结构制法第二 实施例之剖面示意图; 第8A图系为本发明第二实施例之散热型封装结构 中强化散热片与封装胶体接合之剖面示意图; 第8B图系为本发明第二实施例之散热型封装结构 中于散热片上增设散热结构之剖面示意图;以及 第9A及9B图系为应用本发明之散热型封装结构制法 所形成之第三实施例之封装结构。 |
