发明名称 METHOD OF FORMING A FLOATING GATE IN A FLASH MEMORY CELL
摘要
申请公布号 KR20050122647(A) 申请公布日期 2005.12.29
申请号 KR20040048247 申请日期 2004.06.25
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 SHIN, HYEON SANG
分类号 H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/788;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/824 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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