| 发明名称 | 用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物 | ||
| 摘要 | 公开了一种用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物，它含有2～10wt％平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅、0.5～1.5wt％的氨、0.2～1wt％的水合烷基纤维素基聚合物用于调节组合物的流变、0.03～0.5wt％的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt％的季铵碱和余量为去离子水。 | ||
| 申请公布号 | CN1714432A | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
| 申请号 | CN03825534.0 | 申请日期 | 2003.07.30 |
| 申请人 | 第一毛织株式会社 | 发明人 | 卢泫秀;朴泰远;李吉成;李仁庆 |
| 分类号 | H01L21/304 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人 | 刘激扬 |
| 主权项 | 1.一种用于半导体晶片二次抛光的淤浆组合物，含有2～10wt％平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅作为研磨剂、0.5～1.5wt％的氨、0.2～1wt％的羟烷基纤维素基水溶聚合物增稠剂、0.03～0.5wt％的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt％的季铵碱和余量为去离子水。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道龟尾市 | ||