| 主权项 |
1.一种有机发光显示器,包括: 一基板; 一阳极,设置于该基板上; 至少一有机发光层,设置于该阳极上;以及 一阴极复合层,设置于该有机发光层上,该阴极复 合层包括一具有导电材料的第一阴极层、一具有 电子传导材料、且位于该第一阴极层上的第二阴 极层、及一具有导电材料、且位于该第二阴极层 上的第三阴极层。 2.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示器,更 包括一缓冲层,设置于该有机发光层上。 3.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示器,其 中该第一阴极层包括金属。 4.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示器,其 中该第一阴极层由含有以下材料物质所构成:铝、 镁或钙。 5.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示器,其 中该第一阴极层的厚度大于0但大抵不超过600埃( )。 6.如申请专利范围第5项所述之有机发光显示器,其 中该第一阴极层的厚度范围大抵介于50至600埃() 。 7.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示器,其 中该第二阴极层包括至少一具有多于15个兀键的 高共轭有机材料。 8.如申请专利范围第7项所述之有机发光显示器,其 中该高共轭有机材料系择自含有下列材料之组合 选用:邻苯二甲基金属(metal phthalocyanine)、三芳基 胺(triarylamine)、聚多方基(pol yaryl)、C60、及聚对本 撑乙炔(polyparaphenylene vinylene, PPV)。 9.如申请专利范围第8项所述之有机发光显示器,其 中该邻苯二甲基金属包括邻苯二甲基铜。 10.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示器, 其中该第三阴极层包括一硷金属合金。 11.如申请专利范围第10项所述之有机发光显示器, 其中该硷金属合金所含之硷金属成分比例大抵为0 .1%至10%。 12.如申请专利范围第10项所述之有机发光显示器, 其中该第三阴极层包括一锂金属合金。 13.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示器, 其中该第一阴极层包括金属,该第二阴极层包括邻 苯二甲基金属(metal phthalocyanine),以及该第三阴极 层包括一硷金属合金。 14.如申请专利范围第1项所述之有机发光显示器, 更包括: 一电洞注入层,设置于该阳极上;以及 一电洞传输层,设置于该电洞注入层上,及该有机 发光层下。 15.一种有机发光显示器的阴极复合层的制造方法, 至少包括: 形成包括一导电材料的一第一阴极层,于该有机发 光显示器元件之一缓冲层上; 形成包括一电子传输材料的一第二阴极层,于该第 一阴极层上;以及 形成包括一导电材料的一第三阴极层,于该第二阴 极层上。 16.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示器 的阴极复合层的制造方法,其中该第一阴极层包括 金属。 17.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示器 的阴极复合层的制造方法,其中该第一阴极层由含 有以下材料物质所构成:铝、镁或钙。 18.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示器 的阴极复合层的制造方法,其中该第一阴极层系由 物理气相沉积法所形成。 19.如申请专利范围第18项所述之有机发光显示器 的阴极复合层的制造方法,其中该第一阴极层系由 热蒸镀或电子束(e-beam)沉积法所形成。 20.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示器 的阴极复合层的制造方法,其中该第二阴极层包括 至少一具有多于15个键的高共轭有机材料。 21.如申请专利范围第20项所述之有机发光显示器 的阴极复合层的制造方法,其中该高共轭有机材料 系择自下列材料之组合选用:邻苯二甲基金属(metal phthalocyanine)、三芳基胺(triarylamine)、聚多方基( polyaryl)、C60、或聚对本撑乙炔(polyparaphenylene vinylene, PPV)。 22.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示器 的阴极复合层的制造方法,其中该第三阴极层包括 一硷金属合金。 23.如申请专利范围第15项所述之有机发光显示器 的阴极复合层的制造方法,其中该第三阴极层系由 溅镀法所形成。 24.如申请专利范围第23项所述之有机发光显示器 的阴极复合层的制造方法,其中该第三阴极层系由 溅镀法所形成,其溅镀速率大于10埃/秒。 图式简单说明: 第1图系显示根据本发明具体实施例之多层阴极之 有机发光元件的剖面示意图; 第2图系显示根据本发明另一实施例之多层阴极之 有机发光元件的剖面示意图; 第3图系显示根据本发明实施例第一阴极层系由物 理气相沉积法形成于真空腔体之装置示意图; 第4图系显示根据本发明实施例第三阴极层系由溅 镀法所形成之装置示意图;以及 第5图系显示根据本发明又一实施例之有机发光元 件的剖面示意图。 |
