BGA集成电路植珠工艺

摘要

本工艺利用由植珠台本体、芯片定位架、植珠模板、模板架所组成的植珠装置，在植珠过程中始终保持BGA芯片的焊盘向上，使焊盘与锡珠的定位关系能够用人眼直接看到，不需要通过光学系统及显示器间接观察；已经定位的锡珠不容易发生移位或脱落。本工艺可以和多种加热设备配合使用，不需要高精度的光学定位系统支持。在维修电路板的过程中，大大降低设备成本和芯片费用。

主权项

1、一种集成电路植珠工艺，其特征如下：对待植珠的BGA芯片清理焊盘群(12)，将焊盘群(12)上原来残留的锡珠和焊锡残渣清除后，用无水乙醇清洗焊盘群(12)，保证无残留的污物；选择腐蚀性小的、无残留的助焊膏，在BGA芯片的焊盘群(12)上涂抹均匀，应该保证每一个焊盘群(12)的焊点上都涂有助焊膏；根据BGA芯片(13)的外形尺寸和焊点分布，选择与之配合的芯片定位架(7)和模板(15)，把芯片放入植珠台本体(4)上的芯片定位架，并蒙上模板和模板架(9)，仔细观察模板孔与芯片焊盘的位置关系，保证一一对应，使模板与芯片贴合；往模板上倒入一定数量的锡珠，使每个孔位的焊盘上落有一个锡珠，锡珠被助焊膏粘附在焊盘上；倾斜植珠台，使模板上多余的锡珠从排珠孔(8)流入排珠槽(2)；取走模板和模板架，注意不要碰到芯片(13)上的锡珠；如果有少量锡珠偏离BGA焊盘，应该用镊子进行适当调整；小心取出芯片(13)，用加热设备对芯片上下双向加热，一般情况下，芯片下方的加热温度约为90～100℃，上方的加热温度需根据环境温度及周围空气对流的情况而调整约为160～200℃，最好使用红外线加热设备，如果使用热风设备，必须注意减小送风量；当芯片(13)被加热到约180℃焊料开始浸润时，由于助焊剂和焊料表面张力的作用，锡珠将发生自动“对中”的过程——即每个焊盘上的锡珠会自动移动到焊盘的中心，这时，必须立即停止加热，避免锡珠进一步熔化；待芯片冷却后，植珠过程结束，此BGA芯片就已经修复；在上述植珠过程中，始终保持芯片的焊盘群向上。