发明名称 荷电射束装置、荷电射束控制方法、基板检查方法及半导体装置之制造方法
摘要 本发明之荷电射束装置包含:荷电射束产生器,其产生荷电射束;投影光学系统,其产生使上述荷电射束成像于外部基板之透镜场;及偏转器,其以包围上述荷电射束之光轴之方式配置,并产生偏转场,该偏转场重叠于上述透镜场,使上述荷电射束偏转,控制照射至上述基板之位置,并以相应于上述荷电射束应入射至上述基板之角度而其强度于上述光轴方向变化之方式构成。
申请公布号 TW200540925 申请公布日期 2005.12.16
申请号 TW094101839 申请日期 2005.01.21
申请人 东芝股份有限公司 发明人 长野修
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本