发明名称 | 浸润式光刻系统 | ||
摘要 | 本实用新型提供一种浸润式光刻系统。该光刻系统由一个光学表面、一个与光学表面的一部分接触且pH值小于7的浸润流体、以及一个上表面形成有光阻层的半导体结构所构成,其中该光阻层的部分表面与浸润流体接触。本实用新型提供的光刻系统,不仅提高了分辨率,还能避免浸润流体污染光阻层或光学透镜。 | ||
申请公布号 | CN2746425Y | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
申请号 | CN200420088867.9 | 申请日期 | 2004.08.25 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨育佳;林本坚;胡正明 |
分类号 | G03F7/20 | 主分类号 | G03F7/20 |
代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
主权项 | 1.一种浸润式光刻系统,其特征在于该浸润式光刻系统包含:一个光学表面;一个用来支撑工作部件的支撑台座;一个配置于该光学表面和该支撑台座之间的浸润流体,该浸润流体的pH值小于7,且至少与该光学表面的一部份接触。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |