氮化硅只读存储器的制造方法

摘要

本发明是有关于一种氮化硅只读存储器的制造方法。是在基底上依序形成一捕捉层，接着，在基底上形成已图案化的光刻胶层，以光刻胶层为掩模，进行口袋离子注入步骤，将第一型掺杂杂质注入基底的源极区与漏极区中，再移除部分捕捉层以使捕捉层图案化，最后进行源极区与漏极区离子注入步骤，将第二型掺杂杂质注入基底的源极区与漏极区中，然后，去除光刻胶层。接着，以捕捉层为掩模，进行热工艺，以使源极区与漏极区的基底表面形成埋入式源极区氧化层与埋入式漏极氧化层，同时使第二型掺杂杂质于埋入式源极区氧化层与埋入式漏极氧化层下方形成埋入式源极与埋入式漏极，第一型掺杂杂质因热扩散而在埋入式源极与埋入式漏极周缘的沟道区边缘形成对应的口袋型掺杂区，最后，在基底上形成导体栅极。

主权项

1.一种氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为：该方法包括：提供一基底；在该基底上形成一捕捉层，该捕捉层由一氧化层、位于该氧化层上的一氮化物层及位于该氮化物层上的一介电层所构成；在该基底上形成已图案化的一光刻胶层，其中该光刻胶层所覆盖的该捕捉层下方的部分该基底区域定义为一沟道区，裸露的该捕捉层下方的部分该基底区域定义为一源极区与一漏极区；以该光刻胶层为掩模，进行一口袋离子注入步骤，将一第一型掺杂杂质注入该基底的该源极区与该漏极区中；以该光刻胶层为掩模，移除部分该捕捉层，以使该捕捉层图案化；以该光刻胶层为掩模，进行一源极区与漏极区离子注入步骤，将一第二型掺杂杂质注入该基底中的该源极区与该漏极区中；去除该光刻胶层；以该捕捉层为掩模，进行一热工艺，以使该源极区与该漏极区的该基底表面形成一埋入式源极氧化层与一埋入式漏极氧化层，同时使该第二型掺杂杂质于该埋入式源极氧化层与该埋入式漏极氧化层下方形成一埋入式源极与一埋入式漏极，该第一型掺杂杂质因热扩散而在该埋入式源极与该埋入式漏极周缘的该沟道区边缘形成对应的一口袋型掺杂区；以及在该基底上形成一导体栅极。