在共注入后在中等温度下分离薄膜的方法

摘要

本发明提供从源基底上分离薄膜的方法，包括如下步骤：在源基底中注入离子或气态物质，以在其中形成由于缺陷的存在而被弱化的隐埋区；在弱化区中进行分裂，致使薄膜从源基底上分离那些。注入两种物质，其中一种物质适于形成缺陷，另一种物质适于占据那些缺陷，在比单独通过使用第一物质就可以实现分离的温度更低的温度下进行分离。

主权项

1.一种从源基底上分离薄膜的方法，包括如下步骤：在源基底中注入离子或气态物质，以在其中形成由于缺陷的存在而被弱化的隐埋区；在弱化区中进行分裂，致使薄膜从源基底上分离该方法的特征在于——注入步骤一方面包括一个子步骤，根据该子步骤，适于形成缺陷的第一物质被注入，另一方面还包括一个子步骤，根据该子步骤，基本上在相同深度，注入适于占据缺陷的第二物质，第一步骤中的注入以充分的剂量进行，该剂量使得仅通过该步骤就允许薄膜在第一温度下分离，第二物质的注入以低于第一物质剂量的剂量进行，以及——在小于第一温度的第二温度下进行分裂。