形成栅极结构的方法、自对准接触孔结构及其形成方法

摘要

一种形成栅极结构及自对准接触孔结构的方法，包括下列步骤：在一衬底上沉积一第一导电层；在该第一导电层上沉积一第二导电层；在该第二导电层上沉积一绝缘层；执行光刻及蚀刻工艺以去除该绝缘层的选定部分；蚀刻一部分该第二导电层，而没有蚀刻至其下表面；蚀刻一部分剩余的该第二导电层及该第一导电层，以形成多个栅极结构；在各个栅极结构的侧壁上形成一侧壁间隔层；形成覆盖所有栅极结构的一介电层；去除在该等栅极结构之间该介电层的选定部分直至衬底的表面被暴露出以形成自对准孔；以及形成覆盖该孔的一金属层，并在该金属层和该衬底之间被暴露出的衬底表面形成接触。

主权项

1.一种形成栅极结构的方法，包括下列步骤：(1)在一衬底的整个上表面上沉积一第一导电材料层；(2)在该第一导电材料层的整个上表面上沉积一第二导电材料层；(3)在该第二导电材料层的整个上表面上形成一掩模层以暴露部分该第二导电材料层；(4)使用对第二导电材料层的蚀刻率高于对该掩模层的蚀刻率的一蚀刻剂以蚀刻该第二导电材料层，且尚未蚀刻至第二导电材料层的下表面即停止蚀刻；以及(5)对该第二导电材料层及该第一导电材料层实行蚀刻工艺至衬底，以形成多个栅极结构。