发明名称 | 垂直晶格磁介质 | ||
摘要 | 本发明涉及用于磁记录和数据存储的晶格磁介质,和能被用于磁调节晶格的各种调节技术。例如,介质能被形成来表现由晶格区和非晶格区定义的表面变化图案。描述技术用于磁调节晶格区。技术对于垂直晶格介质可能有用,即,具有形成于介质表面并具有垂直于介质表面的磁各向异性的晶格的介质。特别是,垂直磁各向异性被发现是允许有效调节具有相对小的宽度的晶格特征的重要因素。 | ||
申请公布号 | CN1708788A | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
申请号 | CN200380102521.8 | 申请日期 | 2003.10.16 |
申请人 | 伊美申公司 | 发明人 | 加里·R.·朗德斯塔姆 |
分类号 | G11B5/74;G11B5/00;G11B5/09;G11B5/58;G11B5/82;G11B5/86 | 主分类号 | G11B5/74 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 董莘 |
主权项 | 1.一种磁记录介质,包括:衬底;和形成于所述衬底之上、表现出垂直磁各向异性的磁记录层,所述磁记录层包括由晶格区和非晶格区所限定的表面变化图案,其中所述晶格区与所述非晶格区不同地被磁化。 | ||
地址 | 美国明尼苏达州 |