| 主权项 |
1.一种用于制造一半导体装置之方法,其包含:于一基板上形成一导电路径,该导电路径系由第一材料制成;将第二材料沈积于该导电路径上;及促进该第二材料扩散到该导电路径中,该第二材料具有实质地扩散至一界面及该第一材料内之晶粒边界两者中的至少一者之预定溶解度,以显着增加该导电路径之可靠度。2.如请求项1之方法,其中该第一材料包含金属。3.如请求项2之方法,其中该金属为铜。4.如请求项3之方法,其中形成该导电路径包含一镶嵌制程。5.如请求项1之方法,其中沈积该第二材料包含将该第二材料镀敷于该导电路径上。6.如请求项5之方法,其中镀敷该第二材料包含将该第二材料电镀、无电极镀敷及浸镀于该导电路径上中之至少一种。7.如请求项1之方法,其进一步包含在该基板与该导电路径之间形成一障壁层。8.如请求项1之方法,其中该基板包含一层间介电体(ILD)。9.如请求项1之方法,其中该第二材料包含贵金属。10.如请求项9之方法,其中该第二材料进一步包含银、金、钯、钌、铑、锇、铱及铂中之至少一种。11.如请求项1之方法,其中沈积该第二材料包含在具有该导电路径之该基板的一平坦化制程之后沈积该第二材料。12.如请求项11之方法,其中沈积该第二材料包含:自该导电路径移除一氧化物,并将该导电路径浸没到一至少具有该第二材料之水溶液中。13.如请求项1之方法,其中沈积该第二材料包含在具有该导电路径之该基板的一平坦化制程之前沈积该第二材料。14.如请求项13之方法,其中沈积该第二材料包含:自该导电路径移除一氧化物,将该导电路径浸没于一至少具有该第二材料之水溶液中,及提供具有该导电路径之该基板的一平坦化制程。15.如请求项1之方法,其中促进该第二材料之扩散包含热处理具有所沈积之该第二材料之该导电路径。16.如请求项15之方法,其中热处理该导电路径包含在一预定温度及时间下对该导电路径进行退火,以实质地使该第二材料扩散至该第一材料内之该等晶粒边界,该预定温度及时间至少部分地基于该第一材料及该第二材料。17.如请求项1之方法,其中该导电路径包含一导电线及一导电互连两者中之至少一者。18.一种半导体装置,其包含:一形成于一基板上之导电路径,该导电路径系由第一材料制成;及一沈积于该导电路径上之第二材料,该第二材料具有实质地扩散至该第一材料内之晶粒边界之预定溶解度,以显着增加该导电路径之可靠度。19.如请求项18之半导体装置,其中该第一材料包含金属。20.如请求项19之半导体装置,其中该金属为铜。21.如请求项20之半导体装置,其中该导电路径包含一藉由一镶嵌制程形成之导电路径。22.如请求项18之半导体装置,其进一步包含在该基板与该导电路径之间的一障壁层。23.如请求项18之半导体装置,其中该基板包含一层间介电层(ILD)。24.如请求项18之半导体装置,其中该第二材料包含贵金属。25.如请求项24之半导体装置,其中该第二材料进一步包含银、金、钯、钌、铑、锇、铱及铂中之至少一种。26.如请求项18之半导体装置,其中该导电路径包含一导电线与一导电互连两者中之至少一者。图式简单说明:图1a-1c说明在执行本发明之各个实施例时所形成的结构;图2a-2d说明依照本发明之各个实施例所形成的结构;图3说明依照本发明一实施例之用于形成一半导体装置之方法之操作流程;及图4依照本发明之一实施例进一步详细说明一操作流程。 |
