| 主权项 |
1.一种半导体装置,具备:在半导体基板上扩散预定的杂质而设之元件领域;前述元件领域外周之周边领域;设于前述周边领域的前述半导体基板之沟渠;沿着前述沟渠而设之绝缘膜;以及埋设于前述沟渠之导电材料,且使前述导电材料与前述基板为同电位。2.一种半导体装置,具备:在半导体基板上设置沟渠构造的绝缘闸极型半导体元件之元件领域;前述元件领域外周之周边领域;设于前述周边领域的前述半导体基板之沟渠;沿着前述沟渠而设之绝缘膜;以及埋设于前述沟渠之导电材料,且使前述导电材料与前述基板为同电位。3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,其中,前述导电材料为多晶矽。4.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,其中,在前述周边领域的前述基板表面设置与前述导电材料接触之高浓度杂质领域。5.一种半导体装置之制造方法,该半导体装置具有形成有预定元件之元件领域以及该元件领域外周的周边领域,该制造方法具备:在前述周边领域形成沟渠之步骤;在前述沟渠内壁形成绝缘膜之步骤;在前述沟渠内埋设导电材料之步骤;以及使埋设于前述沟渠之前述导电材料与前述基板电性连接之步骤。6.一种半导体装置之制造方法,该半导体装置具有在半导体基板上形成沟渠构造的元件之元件领域以及该元件领域外周的周边领域,该制造方法具备:在前述周边领域形成第1沟渠,并在前述元件领域形成第2沟渠之步骤;在前述第1沟渠以及第2沟渠的内壁形成绝缘膜之步骤;在前述第1沟渠以及第2沟渠内埋设导电材料之步骤;在前述第2沟渠周边扩散预定的杂质而形成元件领域之步骤;以及使埋设于前述第1沟渠之前述导电材料与前述基板电性连接,形成与前述元件领域接触之预定的电极之步骤。7.如申请专利范围第5项或第6项之半导体装置之制造方法,其中,在前述元件领域的形成步骤中,于前述周边领域的前述基板表面形成高浓度杂质领域。8.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其中,系利用离子注入形成前述高浓度杂质领域。图式简单说明:第1图为本发明之半导体装置的(A)平面图,(B)剖面图。第2图为说明本发明之半导体装置的剖面图。第3图(A)至(C)为说明本发明之半导体装置之制造方法的剖面图。第4图为说明本发明之半导体装置之制造方法的剖面图。第5图为说明本发明之半导体装置之制造方法的剖面图。第6图为说明本发明之半导体装置之制造方法的剖面图。第7图为说明本发明之半导体装置之制造方法的剖面图。第8图为说明以往之半导体装置之制造方法的剖面图。第9图为说明以往之半导体装置之制造方法的剖面图。 |
