对经双重掺杂之多晶矽与矽化锗施行蚀刻之方法

摘要

本案提供一种在一处理室中蚀刻在一基板上，有至少一矽化锗层的堆叠之方法。提供一种矽化锗蚀刻方法。于处理室中提供一蚀刻剂气体，其中该蚀刻剂气体包括HBr，惰性稀释剂，与在O2和N2中的至少一者。该基板系经冷却到低于40℃的温度。将该蚀刻剂气体转换成电浆以蚀刻该矽化锗层。