发明名称 |
成膜装置及成膜方法 |
摘要 |
本发明的成膜装置及方法是由HF电源(11)对背面配置有永久磁铁(10)的阴极(5)提供高频电压,使其产生反应模式的等离子体,使用该等离子体进行等离子体聚合成膜。又,调整真空室(1)内的等离子体源气体的压力,产生金属模式的等离子体而非反应模式的等离子体,使用该等离子体,使作为溅射靶的阴极(5)溅射,进行磁控溅射成膜。 |
申请公布号 |
CN1701131A |
申请公布日期 |
2005.11.23 |
申请号 |
CN200480000795.0 |
申请日期 |
2004.05.25 |
申请人 |
新明和工业株式会社 |
发明人 |
能势功一;笹川孝市;古塚毅士;泷川志朗;小泉康浩 |
分类号 |
C23C14/12;F21S8/10;F21V7/22 |
主分类号 |
C23C14/12 |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 |
代理人 |
衷诚宣 |
主权项 |
1.一种成膜装置,是在真空室内产生等离子体,利用所述等离子体在衬底的表面用聚合成膜方法进行成膜的成膜装置,其特征在于,具备产生发生所述等离子体用的高频电压的高频电源、所述真空室内排气用的排气装置、向所述真空室内提供产生所述等离子体用的等离子体源气体的等离子体源气体供给装置、对所述真空室的所述等离子体源气体的压力进行调整,以产生反应模式的所述等离子体的控制装置、向所述真空室内提供所述等离子体聚合的聚合原料的原料供给装置、连接于所述高频电源,进行产生所述等离子体用的放电的阴极和阳极、以及在所述阴极的周围产生磁场的磁场产生装置。 |
地址 |
日本国兵库县 |