| 发明名称 | 一种α－Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>单晶纳米线的溶剂热反应制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明α－Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>单晶纳米线的溶剂热反应制备方法，特征是按摩尔比1∶1.5－15将SiCl<SUB>4</SUB>和Mg<SUB>3</SUB>N<SUB>2</SUB>混合，密封在550－700℃反应5小时以上；产物经酸洗和水洗、离心分离和干燥，即获得α－Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>纳米线粉末。采用本发明方法制得的α－Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>纳米线平均直径约为35纳米，长度约几个微米。本发明方法反应温度较低，所得产物物相单一，适合于产量较大的工业生产。 | ||
| 申请公布号 | CN1699639A | 申请公布日期 | 2005.11.23 |
| 申请号 | CN200510038877.0 | 申请日期 | 2005.04.12 |
| 申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 钱逸泰;邹贵付;谷云乐 |
| 分类号 | C30B29/38;C30B29/62;C30B7/14;C01B21/068 | 主分类号 | C30B29/38 |
| 代理机构 | 合肥华信专利商标事务所 | 代理人 | 余成俊 |
| 主权项 | 1、一种α-Si3N4单晶纳米线的溶剂热反应制备方法，其特征在于，按摩尔比1∶1.5-15将SiCl4和Mg3N2混合，密封在550-700℃反应5小时以上；产物经酸洗和水洗、离心分离和干燥，即获得α-Si3N4纳米线粉末。 | ||
| 地址 | 230026安徽省合肥市金寨路96号 | ||