| 主权项 |
1.一种形成奈米线阵列的方法,系配合一容器,包括:(A)提供一具有一凹凸结构于其表面之基板及一位于该容器之溶液;(B)放置该基板于该溶液中;以及(C)形成复数个奈米线于该凹凸结构之表面;其中,该溶液系由至少一金属离子溶液及至少一还原剂构成,该等奈米线形成一奈米线阵列。2.如申请专利范围第1项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该基板系为矽基板。3.如申请专利范围第1项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该基板更包括一金属氧化层于其表面。4.如申请专利范围第1项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该凹凸结构系由复数个奈米球堆叠而成。5.如申请专利范围第4项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该等奈米球之材质系为聚苯乙烯。6.如申请专利范围第4项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该等奈米球之平均直径系介于50nm至200nm之间。7.如申请专利范围第1项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该凹凸结构系为复数个刮痕。8.如申请专利范围第7项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该等刮痕系以化学蚀刻法形成于该基板之表面。9.如申请专利范围第1项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该凹凸结构系为一导电膜层。10.如申请专利范围第9项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该导电膜层系为氧化锌层。11.如申请专利范围第9项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该导电膜层系以溅镀法形成于该基板之表面。12.如申请专利范围第1项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该金属离子溶液系为硝酸锌溶液。13.如申请专利范围第1项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该还原剂系为胺盐类化合物。14.如申请专利范围第1项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该溶液之温度系介于80℃至95℃。15.如申请专利范围第1项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该等奈米线之平均直径系介于10nm至200nm。16.如申请专利范围第1项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该等奈米线系垂直该基板之表面。17.如申请专利范围第1项所述之形成奈米线阵列的方法,其中该等奈米线之晶格结构系为具有六方形晶格之单晶结构。图式简单说明:图1系本发明一较佳实施例之之形成奈米线阵列方法的示意图。图2系系运用图1所示之本发明一较佳实施例之形成奈米线阵列方法所形成之奈米线阵列的电子显微镜图形。图3A系本发明一较佳实施例之形成奈米线阵列的方法所形成之奈米线阵列的示意图。图3B系图3A所示之奈米线阵列的电子显微镜图形。图4A系本发明另一较佳实施例之形成奈米线阵列的方法所形成之奈米线阵列的示意图。图4B系图4A所示之奈米线阵列的电子显微镜图形。图5系系形成一凹凸结构之奈米球的半径及配合此一凹凸结构,本发明之形成奈米线阵列方法而形成之奈米球阵列所具有之密度间的关系示意图。图6A系显示基板的表面形貌与本发明之形成奈米线阵列方法所形成之奈米线的直径大小间关系的示意图。图6B系显示基板的表面形貌与本发明之形成奈米线阵列方法所形成之奈米线的直径间关系的示意图。图7系本发明又一较佳实施例之形成奈米线阵列的方法所形成之奈米线阵列的电子显微镜图形。 |
