| 主权项 |
1.一种形成T型多晶矽闸极的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其内系形成有隔离区域;在该半导体基底上依序形成一氧化层、一氮化物层及一图案化光阻层,以该图案化光阻层为罩幕,对该氮化物层与该氧化层进行蚀刻,直至暴露出该半导体基底为止,以形成一第一沟槽,而后移除该图案化光阻层;对位于该第一沟槽两侧壁之该氮化物层进行蚀刻,使部分位于该第一沟槽两侧壁之该氮化物层被移除,以暴露出该氧化层为止,以定义出一第二沟槽;对该半导体基底进行一氧化制程,使自该第一沟槽暴露出之该半导体基底表面形成一闸极氧化层;于该半导体基底上沉积一多晶矽层,并填满该第一、第二沟槽,而后对该多晶矽层进行一平坦化制程;以及移除剩余的该氮化物层,然后以该多晶矽层为罩幕移除暴露出的该氧化层,以得到一T型轮廓之多晶矽闸极。2.如申请专利范围第1项所述之形成T型多晶矽闸极的方法,其中该氮化物层之材质为氮氧化矽或氮化矽。3.如申请专利范围第1项所述之形成T型多晶矽闸极的方法,其中该氧化制程为快速热氧化制程。4.如申请专利范围第3项所述之形成T型多晶矽闸极的方法,其中该快速热氧化制程是以氧气电浆来进行处理。5.如申请专利范围第1项所述之形成T型多晶矽闸极的方法,其中该平坦化制程为化学机械研磨法。6.如申请专利范围第1项所述之形成T型多晶矽闸极的方法,其中该氮化矽层系利用低压化学气相沉积而成。图式简单说明:第一图至第六图为本发明之各步骤构造剖视图。 |
