半导体工艺中淀积铝填充亚微米孔的方法

摘要

本发明公开了一种半导体工艺中淀积铝填充亚微米孔的方法，采用物理气相淀积金属铝的方法，其中，淀积的过程为分步淀积，首先在孔壁上以不高于第一温度进行第一阶段淀积，淀积浸润层；再以不低于第二温度进行第二阶段淀积，该阶段中，还包括金属铝的回流，第二阶段淀积可反复进行多次；该方法具体包括以下步骤：在亚微米孔的孔壁上，以不高于第一温度淀积浸润层，采用溅射的方式进行淀积；将温度升高，使其不低于第二温度，使金属铝加热回流；维持温度不低于第二温度，在孔内进行淀积，也采用溅射的方式；抽真空使其基础压强低于一设定值；其中，使金属铝加热回流和在孔内进行淀积的步骤可反复进行多次。该方法能较好地解决高深宽比的孔的填充。

主权项

1.一种半导体工艺中淀积铝填充亚微米孔的方法，采用物理气相淀积金属铝的方法，其特征在于，淀积的过程为分步淀积，首先在孔壁上以不高于第一温度进行第一阶段淀积，淀积浸润层；再以不低于第二温度进行第二阶段淀积，该阶段中，还包括所述金属铝的回流，所述第二阶段淀积可反复进行多次；所述填充孔的方法具体包括以下步骤：在所述亚微米孔的孔壁上，以不高于所述第一温度淀积浸润层，采用溅射的方式进行淀积；将温度升高，使其不低于所述第二温度，使所述金属铝加热回流；维持温度不低于所述第二温度，在所述孔内进行淀积，也采用溅射的方式；抽真空使其基础压强低于一设定值；其中，所述使金属铝加热回流和在孔内进行淀积的步骤可反复进行多次。