| 发明名称 | P沟道场效应晶体管剂量仪 | ||
| 摘要 | 一种P沟道场效应晶体管剂量仪，包括一零温度系数恒流源，其输出端与P沟道场效应晶体管的漏极和栅极输入端连接，该零温度系数恒流源提供P沟道场效应晶体管零温度系数工作电流；一栅极电压漂移值运算电路包括：运放(B)，该运放(B)跟随至运放(C)和运放(C)的基准电源组成栅极电压漂移值运算电路，该栅极电压漂移值运算电路的运放(C)输出端连接放大电路正端输入。 | ||
| 申请公布号 | CN1226637C | 申请公布日期 | 2005.11.09 |
| 申请号 | CN02148078.8 | 申请日期 | 2002.10.25 |
| 申请人 | 中国科学院空间科学与应用研究中心 | 发明人 | 朱光武;王世金;梁金宝;任迪远;范隆;郭旗;李宏;孙越强;张微;王月;金松 |
| 分类号 | G01T1/16 | 主分类号 | G01T1/16 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种P沟道场效应晶体管剂量仪，包括P沟道场效应晶体管及其恒流源电路、P沟道场效应晶体管栅极电压漂移值运算电路和放大及输出电路，其特征在于，恒流源电路为P沟道场效应晶体管提供零温度系数的恒流工作电源，P沟道场效应晶体管栅极漂移电压经运放(B)跟随接入运放(C)，运放(C)的同相端为基准源，从而由运放(C)实现栅极电压漂移值运算，运放(D)将运放(C)的漂移值进一步放大输出；其中还包括：一零温度系数恒流源，其输出端与P沟道场效应晶体管的漏极和栅极输入端连接，该零温度系数恒流源提供P沟道场效应晶体管零温度系数工作电流；一栅极电压漂移值运算电路包括：运放(B)，该运放(B)跟随至运放(C)和运放(C)的基准电源组成栅极电压漂移值运算电路，该栅极电压漂移值运算电路的运放(C)输出端连接放大电路正端输入。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南二条1号 | ||