发明名称 |
防静电陶瓷墙地砖及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种防静电的陶瓷墙地砖及其制备方法。所述墙地砖是在陶瓷坯体(1)表面依次涂覆坯釉过渡层(2)、防静电釉层(3),周边涂覆有防静电釉层(4)。其制备方法包括:半导体氧化物与釉料按20-40∶80-60重量比例混合,球磨后过筛除铁,制备成釉浆;所述半导体氧化物包括SnO<SUB>2</SUB>、TiO<SUB>2</SUB>、ZnO中的一种或多种混合物;在陶瓷坯体表面施坯釉过渡层,然后干燥;将制备的釉浆施在坯釉过渡层表面形成防静电釉层,干燥;周边涂覆制备的釉浆,烧成。本发明的防静电陶瓷墙地砖可用于防静电场所的墙面及地面的铺贴,具有优良、耐久的防静电功能,并兼有陶瓷墙地砖的美观、防火、不起尘、耐腐蚀等优点。 |
申请公布号 |
CN1693289A |
申请公布日期 |
2005.11.09 |
申请号 |
CN200410077668.2 |
申请日期 |
2004.12.28 |
申请人 |
华南理工大学;佛山钻石陶瓷有限公司 |
发明人 |
吴建青;汪永清;汪显异;赵英;毛旭琼;陈雄飞 |
分类号 |
C04B41/86;C04B33/13;C04B33/34;C03C8/22 |
主分类号 |
C04B41/86 |
代理机构 |
广州粤高专利代理有限公司 |
代理人 |
何淑珍 |
主权项 |
1、一种防静电陶瓷墙地砖,其特征在于在陶瓷坯体(1)表面依次涂覆坯釉过渡层(2)、防静电釉层(3),周边涂覆有防静电釉层(4);防静电釉层(3)和(4)的表面电阻率为1.0×105~1.0×109Ω。 |
地址 |
510640广东省广州市天河区五山路381号 |