COMPOSITION FOR CHEMO-MECHANICAL POLISHING (CMP)

摘要

Bei einer Zusammensetzung in Form einer Dispersion oder einer Slurry für das chemisch-mechanische Polieren (CMP) bei der Herstellung von elektronischen oder mikroelektronischen Bauelementen, insbesondere Halbleiterelementen, und/oder eines mechanischen Bauelementes, insbesondere eines mikroelektromechanischen Bau- oder Halbleiterelementes (MEMS), soll ein Material bereitgestellt werden, welches eine hohe Abtragsrate bei einem gleichzeitig schonenden Polierverhalten aufweist. Dies wird dadurch erreicht, dass die Zusammensetzung Titanoxidhydratpartikel mit der Näherungsformel Ti02 * xH2O * yH2SO4 enthält, wobei der H2O-Gehalt der Titanoxidhydratpartikel 4 - 25 Gew.-%, bevorzugt 2 - 10 Gew.-%, und der H2S04-Gehalt 0 - 15 Gew.-%, bevorzugt 0,1 - 10 Gew.-%, beträgt.