发明名称 | 化学研磨垫、其制造方法及半导体晶圆的化学机械研磨方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种化学机械研磨垫,其包括具有研磨面的研磨基体及熔合在该研磨基体上的透光性构件,且以平行于研磨面的面切断该透光性构件时的剖面形状为长径除以短径的值大于1的椭圆形。该研磨垫对于半导体晶圆的研磨面,可不降低研磨性能地透过终点检测用光。 | ||
申请公布号 | CN1689758A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
申请号 | CN200510068474.0 | 申请日期 | 2005.04.28 |
申请人 | JSR株式会社 | 发明人 | 保坂幸生;志保浩司;宫内裕之;冈本隆浩;长谷川亨;川桥信夫 |
分类号 | B24B37/04;B24B49/12;H01L21/304 | 主分类号 | B24B37/04 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郭煜;庞立志 |
主权项 | 1.一种化学机械研磨垫,其特征在于,包括具有研磨面的研磨基体及熔合在该研磨基体上的透光性构件,且以平行于研磨面的面切断该透光性构件时的剖面形状为长径除以短径的值大于1的椭圆形。 | ||
地址 | 日本东京都 |