| 主权项 |
1.一种微电子机械毫米波压控相移器的制造方法，以相移器半成品为原料，相移器半成品是经加工的、表面刻蚀有接地导带(2)、信号线(4)和接线端5的条带图案和信号线(4)上生长有氮化硅层7的基片(1)，基片(1)是石英、二氧化硅或砷化镓，接地导带(2)、信号线(4)和接线端(5)的材质和厚度分别为纯金和5000，氮化硅层(7)的厚度为1000，其特征在于，操作步骤：第一步 形成牺牲层(6)(一)用调配的环化橡胶负性光刻胶作牺牲层(6)的涂层，环化橡胶负性光刻胶的调配：环化聚异戊二烯负性光刻胶30％WT、重氮萘醌光敏剂3％WT、二甲苯65％WT、柠檬酸1％WT和硅油1％WT混合搅匀、过滤后得到淡黄色透明的光刻胶胶液，(二)利用旋转离心涂胶工艺，将上述胶液均匀涂布在基片(1)的表面，根据所需胶层厚度调节转速，温度为20摄氏度，涂布时间30秒，(三)基片(1)进入无尘热风循环烘箱前烘，烘箱温度从室温逐渐升至90摄氏度，10～15分钟，前烘时间为40分钟，(四)曝光时间因所用光刻机型号、曝光灯的光源而异，控制在20～60秒之间，(五)显影液是环己烷系列显影液，采用浸渍法或喷淋法显影，时间为60～90秒，(六)定影是采用乙酸丁酯系列定影液，采用浸渍法或喷淋法定影，时间为30～60秒，(七)基片(1)进入无尘热风循环烘箱后烘，温度为120摄氏度，时间为30分钟；第二步 光刻、镀金(一)上述片子上涂PI-5聚酰亚胺，120摄氏度前烘1小时后，涂敷正性光刻胶，(二)光刻、显影，(三)应用热蒸发、电子束蒸发或溅射的方法在接地导带(2)和牺牲层(6)上镀一层厚度为1～1.5μm的金膜，然后应用剥离技术去除正性光刻胶，形成20～30个金属微桥(3)，相邻桥膜等间距；第三步 去牺牲层(6)(一)取75％WT二甲苯与25％WT苯酚混合，放入封闭电炉加热至沸腾、脱水，然后自然冷却至80摄氏度，制得剥离液，(二)将完成上述加工工艺的基片(1)投入上述剥离液去除牺牲层(6)，浸泡时间为8～10分钟，(三)取出基片(1)，用丙酮、酒精和去离子水清洗，吹干；第四步 得产品完成上步加工工艺的基片(1)就是成品，微电子机械毫米波压控相移器。 |
